Në vitin 1976, Zumsteg et al. përdori një metodë hidrotermale për të rritur një rubidium titanil fosfat (RbTiOPO₄, i referuar si kristal RTP). Kristali RTP është një sistem ortorhombik, mmGrupi me 2 pikë, P_na21 grupi hapësinor, ka avantazhe gjithëpërfshirëse të koeficientit të madh elektro-optik, pragut të lartë të dëmtimit të dritës, përçueshmërisë së ulët, gamës së gjerë të transmetimit, jo delikates, humbjes së ulët të futjes dhe mund të përdoret për punë me frekuencë të lartë përsëritjeje (deri në 100 kHz), etj. Dhe nuk do të ketë shenja gri nën rrezatim të fortë lazer. Vitet e fundit, ai është bërë një material popullor për përgatitjen e ndërprerësve elektro-optikë Q, veçanërisht i përshtatshëm për sistemet lazer me shkallë të lartë përsëritjeje..

Lëndët e para të RTP dekompozohen kur shkrihen dhe nuk mund të rriten me metoda konvencionale të tërheqjes së shkrirjes. Zakonisht, flukset përdoren për të zvogëluar pikën e shkrirjes. Për shkak të shtimit të një sasie të madhe fluksi në lëndët e para, ai’Është shumë e vështirë të rritet RTP me madhësi të madhe dhe me cilësi të lartë. Në vitin 1990 Wang Jiyang dhe të tjerët përdorën metodën e fluksit të vetë-shërbimit për të marrë një kristal të vetëm RTP pa ngjyrë, të plotë dhe uniform prej 15 mm×44 mm×34 mm, dhe kreu një studim sistematik mbi performancën e tij. Në vitin 1992 Oseledchiket al. përdori një metodë të ngjashme të fluksit të vetë-shërbimit për të rritur kristalet RTP me madhësi 30 mm×40 mm×60 mm dhe pragu i lartë i dëmtimit të lazerit. Në vitin 2002 Kannan et al. përdori një sasi të vogël të MoO₃ (0.002 mol%) si fluks në metodën e farës së sipërme për të rritur kristalet RTP me cilësi të lartë me një madhësi rreth 20 mm. Në vitin 2010 Roth dhe Tseitlin përdorën përkatësisht farat e drejtimit [100] dhe [010] për të rritur RTP me madhësi të madhe duke përdorur metodën e farës së sipërme.

Krahasuar me kristalet KTP metodat e përgatitjes së të cilëve dhe vetitë elektro-optike janë të ngjashme, rezistenca e kristaleve RTP është 2 deri në 3 rend të madhësisë më e lartë (10⁸ Ω·cm), kështu që kristalet RTP mund të përdoren si aplikacione të ndërrimit të EO Q pa probleme të dëmtimit elektrolitik. Në vitin 2008 Shaldinet al. përdori metodën e farës së sipërme për të rritur një kristal RTP me një domen të vetëm me rezistencë prej rreth 0.5×10¹² Ω·cm, gjë që është shumë e dobishme për çelësat Q-EO me hapje më të madhe të qartë. Në 2015 Zhou Haitaoet al. raportoi se kristalet RTP me gjatësi të aksit më të madh se 20 mm u rritën me metodën hidrotermale, dhe rezistenca ishte 10¹¹~ 10¹² Ω·cm. Meqenëse kristali RTP është një kristal biaksial, ai është i ndryshëm nga kristali LN dhe kristal DKDP kur përdoret si një ndërprerës EO Q-. Një RTP në çift duhet të rrotullohet 90°në drejtim të dritës për të kompensuar dythyeshmërinë natyrore. Ky dizajn jo vetëm që kërkon uniformitet të lartë optik të vetë kristalit, por gjithashtu kërkon që gjatësia e dy kristaleve të jetë sa më afër që të jetë e mundur, për të marrë një raport më të lartë të zhdukjes së ndërprerësit Q.

Si një i shkëlqyer OE Q-ndërprerësing material me frekuencë me përsëritje të lartë, kristal RTPs subjekt i kufizimit të madhësisë gjë që nuk është e mundur për të mëdha hapje e qartë (hapja maksimale e produkteve komerciale është vetëm 6 mm). Prandaj, përgatitja e kristaleve RTP me madhësi të madhe dhe cilësi të lartë si dhe përputhen teknikë e Çifte RTP ende nevojë sasi e madhe e punë kërkimore.