Metaborati i bariumit në fazën e temperaturës së ulët (β-BaB₂O₄, shkurt BBO) kristali i përket sistemit kristal trepalësh, 3m grup pikësh. Në vitin 1949, Levinet al. zbuloi metaboratin e bariumit në fazën e temperaturës së ulët BaB₂O₄ kompleks. Në vitin 1968, Brixneret al. përdorur BaCl₂ si fluks për të marrë një kristal transparent si gjilpërë. Në vitin 1969, Hubner përdori Li₂O si fluks për t'u rritur 0.5mm×0.5mm×0.5mm dhe mati të dhënat bazë të densitetit, parametrave të qelizave dhe grupit të hapësirës. Pas vitit 1982, Instituti Fujian i Strukturës së Materieve, Akademia Kineze e Shkencave përdori metodën e kristalit të farës së shkrirë për të rritur një kristal të madh në fluks dhe zbuloi se kristali BBO është një material i shkëlqyer për dyfishimin e frekuencës ultravjollcë. Për aplikimin e ndërrimit elektro-optik Q, kristali BBO ka disavantazhin e koeficientit të ulët elektro-optik që çon në tension të lartë gjysmë-valë, por ka avantazhin e jashtëzakonshëm të pragut shumë të lartë të dëmtimit të lazerit.

Instituti Fujian i Strukturës së Lëndës, Akademia Kineze e Shkencave ka kryer një sërë pune mbi rritjen e kristaleve BBO. Në vitin 1985 u rrit një kristal i vetëm me madhësi φ67mm×14mm. Madhësia e kristalit arriti φ76mm×15mm në 1986 dhe φ120mm×23mm në 1988.

Rritja e kristaleve mbi të gjitha miraton metodën e farës së kristalit të shkrirë (e njohur edhe si metoda e kristalit të farës së sipërme, metoda e ngritjes së fluksit, etj.). Shkalla e rritjes së kristaleve nëc-Drejtimi i boshtit është i ngadaltë, dhe është e vështirë të marrësh kristal të gjatë me cilësi të lartë. Për më tepër, koeficienti elektro-optik i kristalit BBO është relativisht i vogël, dhe kristali i shkurtër do të thotë që kërkohet tension më i lartë i punës. Në vitin 1995, Goodnoet al. përdorur BBO si material elektro-optik për EO Q-modulimin e lazerit Nd:YLF. Madhësia e këtij kristali BBO ishte 3mm×3mm×15mm(x, y, z), dhe u miratua modulimi tërthor. Edhe pse raporti gjatësi-lartësi e këtij BBO arrin 5:1, tensioni i valës së katërt është ende deri në 4.6 kV, që është rreth 5 herë më shumë se modulimi EO Q i kristalit LN në të njëjtat kushte.

Për të reduktuar tensionin e funksionimit, ndërprerësi BBO EO Q përdor dy ose tre kristale së bashku, gjë që rrit humbjen dhe koston e futjes. Nikelet al. zvogëloi tensionin e gjysmëvalës së kristalit BBO duke bërë që drita të kalojë nëpër kristal për disa herë. Siç tregohet në figurë, rrezja e lazerit kalon përmes kristalit për katër herë, dhe vonesa fazore e shkaktuar nga pasqyra e reflektimit të lartë të vendosur në 45° u kompensua nga pllaka e valës e vendosur në shtegun optik. Në këtë mënyrë, voltazhi gjysmëvalë i këtij ndërprerësi BBO Q mund të jetë aq i ulët sa 3.6 kV.

Figura 1. BBO EO Q-modulim me tension të ulët gjysmëvalë – WISOPTIC

Në 2011 Perlov et al. përdori NaF si fluks për të rritur kristalin BBO me gjatësi 50 mmc-drejtimi i boshtit, dhe është marrë pajisje BBO EO me madhësi 5mm×5mm×40mm, dhe me uniformitet optik më të mirë se 1×10⁻⁶ cm⁻¹, i cili plotëson kërkesat e aplikacioneve të ndërrimit të OE Q. Megjithatë, cikli i rritjes së kësaj metode është më shumë se 2 muaj, dhe kostoja është ende e lartë.

Aktualisht, koeficienti i ulët efektiv EO i kristalit BBO dhe vështirësia e rritjes së BBO me madhësi të madhe dhe cilësi të lartë ende kufizojnë aplikacionin e ndërrimit të EO Q të BBO. Megjithatë, për shkak të pragut të lartë të dëmtimit të lazerit dhe aftësisë për të punuar me frekuencë të lartë përsëritjeje, kristali BBO është ende një lloj materiali i modulimit EO Q me vlerë të rëndësishme dhe të ardhme premtuese.

Figura 2. BBO EO Q-Switch me tension të ulët gjysmë-valë – Prodhuar nga WISOPTIC Technology Co., Ltd.